Raúl Rengel Estévez
Área de Electrónica. Departamento de Física Aplicada
 
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Publicaciones (JCR)

[36] Rengel R., Castelló O., Pascual E., Martín M. J., e Iglesias J. M., “Monte Carlo study of noise velocity fluctuations and microscopic carrier transport in monolayer transition metal dichalcogenides”, Journal of Physics D: Applied Physics, 53, 395102 (2020)
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[35] Iglesias J. M., Pascual E., Martín M. J., y Rengel R., “Relevance of collinear processes to the ultrafast dynamics of photoexcited carriers in graphene”, Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures, 123, 114211 (2020)
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[34] Pascual E., Iglesias J. M., Martín M. J., y Rengel R., “Electronic transport and noise characterization in MoS2″, Semiconductor Science and Technology, 35, 055021 (2020)
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[33] Iglesias J. M., Pascual E., Hamham E. M., Martín M. J., y Rengel R., “Interband scattering-induced ambipolar transport in graphene”, Semiconductor Science and Technology, 34, 065011 (2019)
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[32] Feijoo P. C., Pasadas F., Iglesias J. M., Hamham E. M., Rengel R., y Jiménez D., ”Radio Frequency Performance Projection and Stability Trade-off of h-BN Encapsulated Graphene Field-Effect Transistors”, IEEE Transactions on Electron Devices, 66, 1567-1573 (2019)
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[31] Iglesias J. M., Hamham E. M., Pascual E., y Rengel R., ”Monte Carlo investigation of noise and high-order harmonic extraction in graphene”, Semiconductor Science and Technology, 33, 124012 (2018)
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[30] Hamham E. M., Iglesias J. M., Pascual E., Martín M. J., y Rengel R., ”Impact of the hot phonon effect on electronic transport in monolayer silicene”, Journal of Physics D: Applied Physics, 51, 415102 (2018)
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[29] Rengel R., Iglesias J. M., Hamham E. M., y Martín M. J., ”Damping of acoustic flexural phonons in silicene: influence on high-field electronic transport”, Semiconductor Science and Technology, 33, 065011 (2018)
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[28] Feijoo P. C., Pasadas F., Iglesias J. M., Martín M. J., Rengel R., Li C., Kim W., Riikonen J., Lipsanen H. y Jiménez D., ”Scaling of graphene field-effect transistors supported on hexagonal boron nitride: radio-frequency stability as a limiting factor”, Nanotechnology, 28, 485203 (2017)
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[27] Iglesias J. M., Rengel R., Hamham E. M., Pascual E. y Martín M. J., ”Interplay of out-of-equilibrium phonons and self-heating under high field transport conditions in graphene”, Journal of Physics D: Applied Physics , 50, 305101 (2017)
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[26] Iglesias J. M., Martín M. J., Pascual E. y Rengel R., ”Substrate influence on the early relaxation stages of photoexcited carriers in monolayer graphene”, Applied Surface Science , 424, 52-57 (2017)
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[25] Rengel R., Iglesias J. M., Pascual E. y Martín M. J., ”A balance equations approach for the study of the dynamic response and electronic noise in graphene”, Journal of Applied Physics 121, 185705 (2017)
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[24] Rengel R., Iglesias J. M., Pascual E. y Martín M. J.,”Noise temperature in graphene at high frequencies”, Semiconductor Science and Technology 31, 075001 (2016)
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[23] Iglesias J. M., Martín M. J., Pascual E. y Rengel R.,”Spectral density of velocity fluctuations under switching field conditions in graphene”, Journal of Statistical Mechanics: Theory and Experiment 2016, 054018 (2016)
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[22] Iglesias J. M., Martín M. J., Pascual E. y Rengel R.,”Hot carrier and hot phonon coupling during ultrafast relaxation of photoexcited electrons in graphene”, Applied Physics Letters 108, 043105 (2016)
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[21] Rengel R., Pascual E. y Martín M. J.,”Influence of the substrate on the diffusion coefficient and the momentum relaxation in graphene: The role of surface polar phonons”, Applied Physics Letters 104, 233107 (2014)
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[20] Martín M. J., Couso, C., Pascual E. y Rengel R., ”Monte Carlo Study of Dopant-Segregated Schottky Barrier SoI MOSFETs: Enhancement of the RF Performance”, IEEE Trans. Electron Dev. 99, 3955 (2014)
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[19] Rengel R. y Martín M. J.,”Harmonic distortion in laterally asymmetric channel metal-oxide-semiconductor field-effect transistors operating in the linear regime”, International Journal of Numerical Modelling 27, 792 (2014)
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[18] Rengel R. y Martín M. J.,”Diffusion coefficient, correlation function and power spectral density of velocity fluctuations in monolayer graphene”, Journal of Applied Physics 114, 143702 (2013)
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[17] Martín M. J., Pascual E. y Rengel R.,”RF dynamic and noise performance of Metallic Source/Drain SOI n-MOSFETs”, Solid-State Electronics 73,  64 (2012)
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[16] Rengel R., Martín M. J. y Danneville F., “Microscopic modelling of RF noise in Laterally Asymmetric Channel MOSFETs”, IEEE Electron Device Letters 32 72 (2011)
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[15] Rengel R. y Martín M. J., “Electronic transport in Laterally Asymmetric Channel MOSFET for RF analog applications”, IEEE Transactions on Electron Devices 57 2448 (2010)
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[14] Pascual E., Martín M. J., Rengel R., Larrieu G y Dubois E., “Enhanced carrier injection in Schottky contacts using dopant segregation: a Monte Carlo research”, Semiconductor Science and Technology 24 025022 (2009)
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[13] Pascual E., Rengel R. y Martín M. J., “Microscopic modelling of reverse biased Schottky diodes: influence of non-equilibrium transport phenomena”, Semiconductor Science and Technology 22 1003 (2007)
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[12] Lusakowski J., Martín Martínez M. J., Rengel R., González T., Tauk R., Meziani Y. M., Knap W., Boeuf F. y Skotnicki T., “Quasiballistic transport in nanometer Si metal-oxide-semiconductor field-effect transistors: Experimental and Monte Carlo analysis”, Journal of Applied Physics 101 114511 (2007)
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[11] Rengel R., Pascual E. y Martín M. J., “Injected current and quantum transmission coefficient in low Schottky barriers: WKB and Airy approaches ”, IEEE Electron Device Letters 28 171 (2007)
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[10] Rengel R., Martín M. J., Dambrine G. y Danneville F., “A Monte Carlo investigation of the RF performance of Partially-Depleted SOI MOSFETs”, Semiconductor Science and Technology 21 273 (2006)
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[9] Rengel R., Martín M. J., González T., Mateos J., Pardo D., Dambrine G., Raskin J.-P. y Danneville F., “A microscopic interpretation of the RF noise performance of fabricated FDSOI MOSFETs”, IEEE Transactions on Electron Devices 53 523 (2006)
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[8] Rengel R., González T.. y Martín M. J., “On the influence of space quantization effects on the RF noise behaviour of DG MOSFETs”, Fluctuation and Noise Letters 4 561(2004)
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[7] Rengel R., Pardo D. y Martín M. J., “Towards the nanoscale: Influence of scaling on the electronic trasport and small signal behaviour of MOSFETs”, Nanotechnology 15 S276 (2004)
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[6] Rengel R., Pardo D., y Martín M. J., “A physically-based investigation of the small-signal behaviour of bulk and FD SOI MOSFETs for microwave application”, Semiconductor Science and Technology 19 634 (2004)
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[5] Rengel R., Pardo D. y Martín M. J., “2D Ensemble Monte Carlo modeling of bulk and FDSOI MOSFETs: active layer thickness and noise performance”, Semiconductor Science and Technology 19, S199 (2004)
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[4] Rengel R., Mateos J., Pardo D., González T., Martín M. J., Dambrine G., Danneville F. y Raskin J.-P., “Numerical and experimental study of a 0.25 µm fully-depleted silicon-on-insulator MOSFET: static and dynamic radio-frequency behaviour”, Semiconductor Science and Technology 17 1149 (2002)
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[3] Rengel R., Mateos J., Pardo D., González T. y Martín M. J., “RF noise in a short-channel n-MOSFET: a Monte Carlo study”, Materials Science Forum 384-385 155 (2002)
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[2] Barraud S., Dollfus P., Galdin S., Rengel R., Martin M. J. y Velazquez J. E., “An ionised-impurity scattering model for 3D Monte Carlo device simulation with discrete impurity distribution”, VLSI Design 13 399 (2001)
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[1] Rengel R., Mateos J., Pardo D., González T. y Martín M. J., “Monte Carlo analysis of dynamic and noise performance of submicron MOSFETs at RF and microwave frequencies”, Semiconductor Science and Technology 16 939 (2001)
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