Raúl Rengel Estévez
Área de Electrónica. Departamento de Física Aplicada
 
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Investigación

A lo largo de los últimos 20 años, mi labor investigadora ha estado principalmente relacionada con la simulación Monte Carlo del transporte electrónico en dispositivos de Silicio, incluyendo la investigación de los procesos de ruido electrónico y el comportamiento de pequeña señal, en el rango de radiofrecuencias, en transistores MOSFET y arquitecturas alternativas (sustratos SOI, MOSFETs de barrera Schottky, etc.).

En la actualidad mi objetivo principal es el modelado, mediante el método de Monte Carlo, del grafeno (a nivel de material y de dispositivos), junto con otros materiales bidimensionales alternativos.

ResearcherID: G-4425-2015

ORCID: 0000-0003-4976-2244

Grupo de investigación de Silicio y Grafeno de la Universidad de Salamanca

- Raúl Rengel Estévez

- Maria Jesús Martín Martínez(diarium.usal.es/mjmm)

- Elena Pascual Corral

- José Manuel Iglesias Pérez

 

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