A lo largo de los últimos 25 años, mi labor investigadora ha estado principalmente relacionada con la simulación Monte Carlo del transporte electrónico en dispositivos de Silicio, incluyendo la investigación de los procesos de ruido electrónico y el comportamiento de pequeña señal, en el rango de radiofrecuencias, en transistores MOSFET y arquitecturas alternativas (sustratos SOI, MOSFETs de barrera Schottky, etc.).
En la actualidad mi objetivo principal es el modelado, mediante el método de Monte Carlo, del grafeno (a nivel de material y de dispositivos), junto con otros materiales bidimensionales alternativos.
ResearcherID: G-4425-2015
ORCID: 0000-0003-4976-2244
