Raúl Rengel Estévez
Área de Electrónica. Departamento de Física Aplicada
 
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Proyectos

Título del proyecto: Dinámica ultra-rápida de portadores y modelos multiescala para el estudio de Grafeno y materiales 2D alternativos (TEC2016-80839-P). Entidad financiadora: Ministerio de Economía y Competitividad y FEDER. 2017-2019.

Título del proyecto: Dinámica de portadores fuera de equilibrio en grafeno y dispositivos de grafeno para electrónica de alto rendimiento (TEC2013-42622-R). Entidad financiadora: Ministerio de Economía y Competitividad y FEDER. 2014-2017.

Título del proyecto: Modelado y optimización de arquitecturas MOSFET avanzadas para aplicaciones analógicas de alto rendimiento (SA188A11). Entidad financiadora: Junta de Castilla y León. 2011-2013.

Título del proyecto: Investigación de transistores MOSFET nanométricos no convencionales: modelado del ruido electrónico y caracterización a alta frecuencia (TEC2009-07597). Entidad financiadora: Ministerio de Ciencia e Innovación. 2010-2012.

Título del proyecto: MOSFET con canales inhomogéneos: una alternativa para el diseño de nuevas generaciones de dispositivos (FS/21-2009). Entidad financiadora: Fundación Samuel Solórzano Barruso. 2010

Título del proyecto:  Investigación Monte Carlo de dispositivos MOSFET nanométricos no convencionales para aplicaciones de radiofrecuencia (TEC2008-02266). Entidad financiadora: Ministerio de Ciencia e Innovación. 2009.

Título del proyecto: Dispositivos MOSFET de Silicio no convencionales: Investigación Monte Carlo de los mecanismos de transporte de carga en transistores ultra-escalados para aplicaciones de alta frecuencia (SA010A07). Entidad financiadora: Junta de Castilla y León. 2007-2009.

Título del proyecto: Metallic Source and Drain for advance MOS technology (IST-16677). Entidad financiadora: Comisión Europea, 6º Programa Marco, 2005-2008

Título del proyecto: Análisis Monte Carlo del comportamiento a alta frecuencia de dispositivos MOSFET bulk y SOI avanzados (SA008B05). Entidad financiadora: Junta de Castilla y León. 2005 – 2006.

Título del proyecto: Thematic network on Silicon on Insulator technology, devices and circuits: EUROSOI (IST-1-506653-CA). Entidad financiadora: Comisión Europea. 2004-2005.

Título del proyecto: Red Española de Nanotecnología – NANOSPAIN (MAT2001-5411-E). Entidad financiadora: Ministerio de Ciencia y Tecnología. 2003-2004

Título del proyecto: Análisis Monte Carlo de ruido electrónico a alta frecuencia en materiales y dispositivos semiconductores submicrométricos (SA 057/02). Entidad financiadora: Junta de Castilla y León. 2002-2004

Título del proyecto: Diseño, simulación y optimización de dispositivos electrónicos para aplicaciones de alta frecuencia y bajo ruido (TIC2001-1754). Entidad financiadora: Ministerio de Ciencia y Tecnología. 2002-2004

Título del proyecto: Network of Excellence on Nanoelectronics – PHANTOMS (IST-2000-26021). Entidad financiadora: Comisión Europea. 5º Programa Marco, 2001-2003

Título del proyecto: Modelización y simulación de dispositivos electrónicos de heterounión con dimensiones nanométricas y aplicación en RF y microondas (SA 44/99). Entidad financiadora: Junta de Castilla y León. 1999-2001

Título del proyecto: Estudio y modelización de MOSFET avanzados sub-0.1 µm para aplicaciones analógicas: evaluación del impacto de las heteroestructuras IV-IV (HF1998-0148). Entidad financiadora: Ministerio de Educación y Ciencia. 1999-2000

Título del proyecto: Caracterización y modelización de MODFET de Si/SiGe para aplicaciones analógicas de bajo consumo (HB1998-0057). Entidad financiadora: Ministerio de Educación y Ciencia. 1999-2000

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