Título: A. T. para el modelado del funcionamiento de dispositivos HEMT de GaN
Tipo de contrato: Contrato de I+D (Art. 83)
Empresa/entidad financiadora: Ministerio de Defensa, Centro de Investigación y Desarrollo de la Armada (CIDA)
Duración: 09/2006-2008 Subvención concedida: 68.000 €
Investigador responsable: Tomás González Sánchez
Título: Modelado de transistores HEMT de GaN para aplicaciones de potencia a alta frecuencia
Tipo de contrato: Contrato de I+D (Art. 83)
Empresa/entidad financiadora: Ministerio de Defensa, Centro de Investigación y Desarrollo de la Armada (CIDA)
Duración: 2008 Subvención concedida: 40.000 €
Investigador responsable: Tomás González Sánchez
