1. Autores: J. Mateos, S. Pérez, I. Íñiguez-de-la-Torre, D. Pardo and T. González
Título: Monte Carlo simulation of GaN HEMT degradation mechanisms
Tipo de participación: Presentación oral
Congreso: 31th Workshop on Compound Semiconductor Devices and Integrated Circuits, (WOCSDICE 2007)
Lugar y fecha de celebración: Venecia (Italia), Mayo 2007.
2. Autores: T. González, I. Íñiguez-de-la-Torre, D. Pardo, J. Mateos, S. Bollaert, Y. Roelens and A. Cappy
Título: Monte Carlo simulation of surface charge effects in T-branch nanojunctions
Tipo de participación: Presentación oral
Congreso: 15th International Conference on Nonequilibrium Carrier Dynamics in Semiconductors (HCIS-15)
Lugar y fecha de celebración: Tokio (Japón), Julio 2007.
3. Autores: I. Íñiguez-de-la-Torre, T. González, D. Pardo and J. Mateos
Título: Monte Carlo Analysis of Memory Effects in Nano-Scale Rectifying Diodes
Tipo de participación: Póster
Congreso: 15th International Conference on Nonequilibrium Carrier Dynamics in Semiconductors (HCIS-15)
Lugar y fecha de celebración: Tokio (Japón), Julio 2007.
4. Autores: I. Íñiguez-de-la-Torre, J. Mateos, D. Pardo and T. González
Título: Microscopic analysis of noise in self-switching diodes
Tipo de participación: Presentación oral
Congreso: 19th International Conference on Noise and Fluctuations (ICNF 2007)
Lugar y fecha de celebración: Tokio (Japón), Septiembre 2007.
5. Autores: I. Íñiguez-de-la-Torre, T. González, D. Pardo and J. Mateos
Título: A Monte Carlo study of the memory effects in nanometric self-switching diodes
Tipo de participación: Presentación oral
Congreso: Journées thématiques sur la simulation multiphysique de composants et dispositifs nanométriques
Lugar y fecha de celebración: Villeneuve D’ascq, Lille (Francia), Diciembre 2007.
6. Autores: T. González, I. Íñiguez-de-la-Torre, D. Pardo, J. Mateos and A. M. Song
Título: Gunn oscillations in asymmetric nanodiodes based on narrow and wide band-gap semiconductors: Monte Carlo simulations
Tipo de participación: Presentación oral
Congreso: 33th Workshop on Compound Semiconductor Devices and Integrated Circuits (WOCSDICE 2009)
Lugar y fecha de celebración: Málaga, Mayo 2009.
7. Autores: I. Íñiguez-de-la-Torre, H. Rodilla, J. Mateos, D. Pardo, A. M. Song and T. González
Título: Noise enhanced THz rectification tuned by geometry in planar asymmetric nanodiodes
Tipo de participación: Presentación oral
Congreso: 20th International Conference on Noise and Fluctuations (ICNF 2009)
Lugar y fecha de celebración: Pisa (Italia), Junio 2009.
8. Autores: I. Íñiguez-de-la-Torre, T. González, D. Pardo, C. Gardes, Y. Roelens, S. Bollaert, A. Curutchet, C. Gaquiere and J. Mateos
Título: RF doubling and rectification in three-terminal junctions: experimental characterization and Monte Carlo analysis
Tipo de participación: Presentación oral
Congreso: 16th International Conference on Electron Dynamics in Semiconductors, Optoelectronics and Nanostructures (EDISON 16)
Lugar y fecha de celebración: Montpelllier (Francia), Agosto 2009.
9. Autores: I. Íñiguez-de-la-Torre, H. Rodilla, J. Mateos, D. Pardo, A. M. Song and T. González
Título: Terahertz tunable detection in self-switching diodes based on high mobility semiconductors: InGaAs, InAs and InSb
Tipo de participación: Póster
Congreso: 16th International Conference on Electron Dynamics in Semiconductors, Optoelectronics and Nanostructures (EDISON 16)
Lugar y fecha de celebración: Montpelllier (Francia), Agosto 2009.
10. Autores: T. González, I. Íñiguez-de-la-Torre, D. Pardo, J. Mateos and A. M. Song
Título: Monte Carlo analysis of Gunn oscillations in narrow and wide band-gap asymmetric nanodiodes
Tipo de participación: Póster
Congreso: 16th International Conference on Electron Dynamics in Semiconductors, Optoelectronics and Nanostructures (EDISON 16)
Lugar y fecha de celebración: Montpelllier (Francia), Agosto 2009.
11. Autores: T. González, I. Íñiguez-de-la-Torre, D. Pardo, A. M. Song and J. Mateos
Título: THz Generation Based on Gunn Oscillations in GaN Planar Asymmetric Nano-diodes
Tipo de participación: Póster
Congreso: 22th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM 2010)
Lugar y fecha de celebración: Takamatsu (Japón), Junio 2010.
12. Autores: V. Kaushal, I. Íñiguez-de-la-Torre and M. Margala
Título: Room Temperature Nonlinear Ballistic Nanodevices for Logic Applications
Tipo de participación: Póster
Congreso: Device Research Conference 2010 (DRC 2010)
Lugar y fecha de celebración: South Bend (EE.UU), Junio 2010.
13. Autores: I. Íñiguez-de-la-Torre, V. Kaushal, M. Margala, T. González and J. Mateos
Título: Sub-Thz frequency analysis in nano-scale devices at room temperature
Tipo de participación: Póster
Congreso: Device Research Conference 2010 (DRC 2010)
Lugar y fecha de celebración: South Bend (EE.UU), Junio 2010.
14. Autores: V. Kaushal, I. Íñiguez-de-la-Torre and M. Margala
Título: Topology impact on the room temperature performance of THz-range Ballistic Deflection Transistors
Tipo de participación: Poster
Congreso: 20th Great Lakes Symposium on VLSI (GLSVLSI 2010)
Lugar y fecha de celebración: Brown University Campus, Providence, Rhode Island, (EE.UU), Mayo 2010.
15. Autores: S. Purohit, I. Íñiguez-de-la-Torre, V. Kaushal and M. Margala
Título: High Performance Digital Circuit Design using Ballistic Nano-electronics
Tipo de participación: Poster
Congreso: 53rd IEEE International Midwest Symposium on Circuits and Systems (MWSCAS 2010)
Lugar y fecha de celebración: Seattle, Washington, (EE.UU), Agosto 2010.
16. Autores: D. Wolpert, I. Íñiguez-de-la-Torre, V. Kaushal, M. Margala and P. Ampadu
Título: General Purpose Logic Gate using Ballistic Nanotransistors
Tipo de participación: Presentación oral
Congreso: 11th International Conference on Nanotechnology (NANO 2011)
Lugar y fecha de celebración: Portland, Oregon (EE.UU), Agosto 2011.
17. Autores: J. Mateos, I. Íñiguez-de-la-Torre, T. González
Título: Noise and Terahertz Rectification in Semiconductor Diodes and Transistors
Tipo de participación: Presentación oral (invitada)
Congreso: 21st International Conference on Noise and Fluctuations (ICNF 2011)
Lugar y fecha de celebración: Toronto (Canadá), Junio 2011
18. Autores: I. Íñiguez-de-la-Torre, H. Rodilla, J. Mateos and T. González
Título: Time domain response of III-V nanoscale Y-branch junctions: a numerical microscopic analysis by Monte Carlo simulations
Tipo de participación: Póster
Congreso: 17th International Conference on Electron Dynamics in Semiconductors, Optoelectronics and Nanostructures (EDISON 17)
Lugar y fecha de celebración: Santa Bárbara (EE.UU), Agosto 2011
19. Autores: I. Íñiguez-de-la-Torre, J. Mateos, Y. Roelens, S. Bollaert and T. González
Título: Surface charge effects in T-branch nanojunctions evidenced by ultrafast pulse testing
Tipo de participación: Póster
Congreso: 17th International Conference on Electron Dynamics in Semiconductors, Optoelectronics and Nanostructures (EDISON 17)
Lugar y fecha de celebración: Santa Bárbara (EE.UU), Agosto 2011
20. Autores: C. Gaquiere, G. Ducournau, P. Sangaré, B. Grimbert, M. Faucher, I. Íñiguez-de-la-Torre, A. Íñiguez-de-la-Torre, T. González and J. Mateos
Título: Wide Band Gap Self-Switching Nanodevices for THz Applications at Room Temperature
Tipo de participación: Presentación oral (invitada)
Congreso: 6th European Microwave Integrated Circuits Conference, en la European Microwave Week 2011
Lugar y fecha de celebración: Manchester (Reino Unido), Octubre 2011
21. Autores: V. Kaushal, I. Íñiguez-de-la-Torre, J. Mateos, M. Margala and T. González
Título: Realization of Logic Operations Through Optimized Ballistic Deflection Transistors
Tipo de participación: Póster
Congreso: 2011 IEEE Compound Semiconductor Integrated Circuit Symposium (CSICS)
Lugar y fecha de celebración: Hawai (EE.UU), Octubre 2011
22. Autores: A. Íñiguez-de-la-Torre, J. Mateos, I. Íñiguez-de-la-Torre and T. González
Título: Room Temperature THz Gunn Oscillations in GaN Nanodiodes
Tipo de participación: Presentación oral
Congreso: 20th European Workshop on Heterostructure Technology HeTech2011
Lugar y fecha de celebración: Lille (Francia), Noviembre 2011
23. Autores: C. Gaquiere, G. Ducournau, P. Sangaré, M. Faucher, B. Grimbert, I. Íñiguez-de-la-Torre, T. González, A. Íñiguez-de-la-Torre and J. Mateos
Título: THz Applications at Room Temperature Based on Self Switch Diodes Using wide Bandgap Material
Tipo de participación: Poster
Congreso: IEEE MTT-S International Microwave Symposium (IMS 2012)
Lugar y fecha de celebración: Montreal (Canadá), Junio 2012
24. Autores: J. Mateos, J. F. Millithaler, I. Íñiguez-de-la-Torre, A. Íñiguez-de-la-Torre, B. G. Vasallo, S. Pérez, P. Sangaré, G. Ducournau, C. Gaquiere, Y. Alimi, L. Zhang, A. Rezazadeh, A. M. Song, A. Westlund, J. Grahn and T. González
Título: Semiconductor Nanodevices for Room Temperature THz Detection and Emission
Tipo de participación: Presentación oral (invitada)
Congreso: International Workshop on Optical Terahertz Science and Technology 2013
Lugar y fecha de celebración: Kioto (Japón), Abril 2013
25. Autores: T. González, J. F. Millithaler, I. Íñiguez-de-la-Torre, A. Íñiguez-de-la-Torre, B. G. Vasallo, S. Pérez, P. Sangaré, G. Ducournau, C. Gaquiere, Y. Alimi, L. Zhang, A. Rezazadeh, A. M. Song, A. Westlund, J. Grahn and J. Mateos
Título: Room-temperature semiconductor nanodiodes for THz detection and emission
Tipo de participación: Presentación oral (invitada)
Congreso: European Materials Research Society Spring Meeting 2013
Lugar y fecha de celebración: Estrasburgo (Francia), Mayo 2013
26. Autores: C. Chakraborty, J. Serafini, J. Zhang, L. Q. Zhang, Y. Alimi, I. Íñiguez-de-la-Torre, J. Mateos, T. González, A. M. Song, and Roman Sobolewski
Título: Self-Switching Nano-Devices as Optical Photodetectors
Tipo de participación: Póster
Congreso: Photonics North 2013
Lugar y fecha de celebración: Ottawa (Canadá), Junio 2013
27. Autores: J. F. Millithaler, I. Íñiguez-de-la-Torre, T. González, P. Sangaré, G. Ducournau, C. Gaquiere and J. Mateos
Título: Noise in Terahertz detectors based on semiconductor nanochannels
Tipo de participación: Presentación oral
Congreso: 22nd International Conference on Noise and Fluctuations (ICNF 2013)
Lugar y fecha de celebración: Montpellier (Francia), Junio 2013
28. Autores: J. Torres, P. Nouvel, A. Penot, L. Varani, P. Sangare, B. Grimbert, M. Faucher, G. Ducournau, C. Gaquiere, I. Íñiguez-de-la-Torre, J. Mateos, T. Gonzalez
Título: A room temperature THz heterodyne detector based on self-switching nanodiodes
Tipo de participación: Presentación oral (invitada)
Congreso: 18th International Conference on Electron Dynamics in Semiconductors, Optoelectronics and Nanostructures (EDISON 18)
Lugar y fecha de celebración: Matsue (Japón), Julio 2013
29. Autores: I. Íñiguez-de-la-Torre, J. F. Millithaler, A. Íñiguez-de-la-Torre, J. Mateos, P. Sangaré, G. Ducournau, C. Gaquière and T. González
Título: Geometry optimization for sub-THz Gunn emission: a V-shape GaN nanodevice
Tipo de participación: Presentación oral
Congreso: 18th International Conference on Electron Dynamics in Semiconductors, Optoelectronics and Nanostructures (EDISON 18)
Lugar y fecha de celebración: Matsue (Japón), Julio 2013
30. Autores: J. Mateos, I. Íñiguez-de-la-Torre, Y. Meziani, E. García, L. Q. Zhang, Y. Alimi, A. M. Song, C. Chakraborty, J. Serafini, R. Sobolewski, and T. González
Título: Ultrafast photoresponse of self-switching nano-diodes
Tipo de participación: Poster
Congreso: 18th International Conference on Electron Dynamics in Semiconductors, Optoelectronics and Nanostructures (EDISON 18)
Lugar y fecha de celebración: Matsue (Japón), Julio 2013
31. Autores: I. Íñiguez-de-la-Torre
Título: Semiconductor nanodevices for room temperature THz detection and emission
Tipo de participación: Presentación oral (invitada)
Congreso: 15th International Symposium on “Ultrafast Phenomena in Semiconductors” (15-UFPS)
Lugar y fecha de celebración: Vilnius (Lituania), Agosto 2013
32. Autores: J. Torres, P. Nouvel, A. Penot, L. Varani, P. Sangaré, B. Grimbert, M. Faucher, G. Ducournau, C. Gaquière, I. Íñiguez-de-la-Torre, J. Mateos and T. González
Título: Room temperature terahertz detection using Self-switching nanodiodes
Tipo de participación: Presentación oral (invitada)
Congreso: 15th International Symposium on “Ultrafast Phenomena in Semiconductors” (15-UFPS)
Lugar y fecha de celebración: Vilnius (Lituania), Agosto 2013
33. Autores: G. Ducournau, A. Westlund, P. Sangaré, C. Gaquière, P. A. Nilsson, I. Íñiguez-de-la-Torre, J-F Millithaler, T. González, J. Mateos and J. Grahn
Título: 200 GHz communication system using unipolar InAs THz rectifiers
Tipo de participación: Presentación oral
Congreso: 38th International Conference on Infrared, Millimeter, and Terahertz Waves (IRMMW-THz 2013)
Lugar y fecha de celebración: Mainz (Alemania), Septiembre 2013
34. Autores: S. García, I. Íñiguez-de-la-Torre, S. Pérez, J. Mateos and T. González
Título: Monte Carlo simulations of InP and GaN-based vertical Gunn diodes for THz power emission.
Tipo de participación: Póster
Congreso: GDR-I THz Workshop
Lugar y fecha de celebración: Montpellier (Francia), Diciembre 2013.
35. Autores: C. Daher, I. Íñiguez-de-la-Torre, J. Torres, P. Nouvel, L. Varani, P. Sangaré, B. Grimbert, M. Faucher, G. Ducournau, C. Gaquiere, J. Mateos, T. González
Título: Room temperature THz heterodyne detector based on GaN unipolar nanochannels
Tipo de participación: Presentación oral
Congreso: 41th International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS)
Lugar y fecha de celebración: Montpellier (Francia), Mayo 2014
36. Autores: S. García, I. Íñiguez-de-la-Torre, S. Pérez, J. Mateos and T. González
Título: Performance of InP and GaN Gunn diodes: efficiency, power spectral density and thermal effects
Tipo de participación: Presentación oral
Congreso: 41th International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS)
Lugar y fecha de celebración: Montpellier (Francia), Mayo 2014
37. Autores: B. G. Vasallo, J. F. Millithaler, I. Íñiguez-de-la-Torre, T. González and J. Mateos
Título: Time-domain Monte Carlo simulation of GaN planar Gunn nanodiodes in resonant circuits
Tipo de participación: Presentación oral
Congreso: 17th International Workshop on Computational Electronics (IWCE)
Lugar y fecha de celebración: Paris (Francia), Junio 2014
38. Autores: S. García, I. Íñiguez-de-la-Torre, O. García-Pérez, J. Mateos, T. González, P. Sangaré, C. Gaquière and S. Pérez
Título: Examination of thermal effects in GaN-based devices by means of electro-thermal Monte Carlo simulators
Tipo de participación: Presentación oral
Congreso: 38th Workshop on Compound Semiconductor Devices and Integrated Circuits (WOCSDICE)
Lugar y fecha de celebración: Delphi (Grecia), Junio 2014
39. Autores: P. Sangaré, G. Ducournau, B. Grimbert, M. Faucher, I. Íñiguez-de-la-Torre, T. González, J. Mateos and C. Gaquière
Título: GaN-based Implanted Self Switching Diodes for THz imaging
Tipo de participación: Presentación oral
Congreso: Conference on Infrared, Millimeter, and Terahertz Waves (IRMMW-THz 2014)
Lugar y fecha de celebración: Tucson, Arizona (EE.UU.), Septiembre 2014
40. Autores: S. García, I. Íñiguez-de-La-Torre, O. García-Pérez, J. Mateos, T. González, and S. Pérez
Título: Modelling of Thermal Boundary Resistance in a GaN Diode by means of Electro-Thermal Monte Carlo Simulations
Tipo de participación: Presentación oral
Congreso: EURO-TMCS I (Theory, Modelling and Computational Methods for Semiconductors)
Lugar y fecha de celebración: Granada, Enero 2015
41. Autores: I. Íñiguez-de-la-Torre, T. González, J. Mateos, C. Daher, J. Torres, G. Ducournau, C. Gaquière, A. Westlund and J. Grahn
Título: Direct THz Detection in Narrow (InAs) and Wide (GaN) – bandgap based semiconductor Planar Diodes
Tipo de participación: Presentación oral
Congreso: 8th THz days Conference
Lugar y fecha de celebración: Areches (Francia), Abril 2015.
42. Autores: A. Rodríguez Fernández, I. Íñiguez-de-la-Torre, Ó. García-Pérez, T. González, J. Mateos, S. Pérez, A. Westlund, P-Å. Nilsson, J. Grahn
Título: THz emission from InGaAs slot diodes: surface charges and temperature effects
Tipo de participación: Poster
Congreso: 8th THz days Conference
Lugar y fecha de celebración: Areches (Francia), Abril 2015.
43. Autores: Ó. García, Y. Alimi, A. Song, I. Íñiguez-de-la-Torre, S. Pérez, J. Mateos, and T. González
Título: Experimental verification of low-frequency noise effects at the onset of oscillations in planar Gunn diodes
Tipo de participación: Póster
Congreso: 2015 International Conference on Noise and Fluctuations, ICNF 2015
Lugar y fecha de celebración: Xian (China), Junio 2015
44. Autores: J. Torres, C. Daher, I. Íñiguez-de-la-Torre, P. Nouvel, L. Varani, P. Sangaré, B. Grimbert, M. Faucher, G. Ducournau, C. Gaquiere, J. Mateos, T. González
Título: Room temperature terahertz heterodyne detection using unipolar nanodiodes
Tipo de participación: Presentación oral (invitada)
Congreso: 1st URSI Atlantic Radio Science Conference (URSI AT-RASC)
Lugar y fecha de celebración: Gran Canarias, Mayo 2014
45. Autores: A. Rodríguez Fernández, I. Íñiguez-de-la-Torre, Ó. García-Pérez, S. García, T. González, J. Mateos, S. Pérez, A. Westlund, P-Å. Nilsson, J. Grahn
Título: Temperature and Surface Traps Influence on the THz Emission from InGaAs Diodes
Tipo de participación: Poster
Congreso: 19th International Conference on Electron Dynamics in Semiconductors, Optoelectronics and Nanostructures (EDISON 19)
Lugar y fecha de celebración: Salamanca, Junio 2015
46. Autores: I. Íñiguez-de-la-Torre, A. Westlund, J. Grahn, T. González and J. Mateos
Título: Zero-Bias THz Detection in InAs Nano-Diodes at Room Temperature
Tipo de participación: Poster
Congreso: 19th International Conference on Electron Dynamics in Semiconductors, Optoelectronics and Nanostructures (EDISON 19)
Lugar y fecha de celebración: Salamanca, Junio 2015
47. Autores: J.-F. Millithaler, I. Íñiguez-de-la-Torre, J. Mateos, T. González, M. Margala
Título: Optimization of Ballistic Deflection Transistors by Monte Carlo Simulations
Tipo de participación: Poster
Congreso: 19th International Conference on Electron Dynamics in Semiconductors, Optoelectronics and Nanostructures (EDISON 19)
Lugar y fecha de celebración: Salamanca, Junio 2015
48. Autores: Y. Akbas, A. Stern, L. Q. Zhang, Y. Alimi, A. M. Song, I. Íñiguez-de-la-Torre, J. Mateos, T. González, G. W. Wicks and R. Sobolewski
Título: Ultrahigh responsivity of optically active, semiconducting asymmetric nano-channel diodes
Tipo de participación: Presentación oral
Congreso: 19th International Conference on Electron Dynamics in Semiconductors, Optoelectronics and Nanostructures (EDISON 19)
Lugar y fecha de celebración: Salamanca, Junio 2015
49. Autores: C. Daher, J. Torres, I. Íñiguez-de-la-Torre, P. Nouvel, L. Varani, P. Sangaré, G. Ducournau, C. Gaquiere, J. Mateos, and T. González
Título: 0.69 THz room temperature heterodyne detection using GaN nanodiodes
Tipo de participación: Presentación oral
Congreso: 19th International Conference on Electron Dynamics in Semiconductors, Optoelectronics and Nanostructures (EDISON 19)
Lugar y fecha de celebración: Salamanca, Junio 2015
50. Autores: Y. Sun, K. Ashida, S. Sasaki, M. Koyama, T. Maemoto, S. Sasa, S. Kasai, I. Íñiguez-de-la-Torre and T. González
Título: Fabrication and Characterization of Fully Transparent ZnO Thin-Film Transistors and Self-Switching Nano-Diodes
Tipo de participación: Poster
Congreso: 19th International Conference on Electron Dynamics in Semiconductors, Optoelectronics and Nanostructures (EDISON 19)
Lugar y fecha de celebración: Salamanca, Junio 2015
51. Autores: J. Mateos, I. Íñiguez-de-la-Torre, H. Rodilla, J. Schleeh, J. Grahn, T. González and A. J. Minnich
Título: On the intrinsic limit for the temperature lowering in cryogenic low-noise InP HEMTs
Tipo de participación: Presentación oral
Congreso: 19th International Conference on Electron Dynamics in Semiconductors, Optoelectronics and Nanostructures (EDISON 19)
Lugar y fecha de celebración: Salamanca, Junio 2015
52. Autores: S. García, I. Íñiguez-de-la-Torre, J. Mateos, S. Pérez and T. González
Título: Electro-Thermal Modelling of AlGaN/GaN HEMT grown on Al2O3, Si, SiC and diamond substrates including thermal boundary resistance effects
Tipo de participación: Presentación oral
Congreso: E-MRS Spring Meeting
Lugar y fecha de celebración: Lille (Francia), Mayo 2016
53. Autores: P. Marthi, S. Rufsan Reza, N. Hossain, J.-F. Millithaler, I. Íñiguez-de-la-Torre, J. Mateos, T. González and M. Margala
Título: Modeling and study of two-BDT-nanostructure based sequential logic circuits
Tipo de participación: Poster
Congreso: Great Lakes Symposium on VLSI (GLSVLSI 2016)
Lugar y fecha de celebración: Boston (EE. UU.), Mayo 2016
54. Autores: I. Íñiguez-de-la-Torre
Título: Broadband Sub-THz Direct Detection by Planar Nano-Channels: from Monte Carlo Modelling to Experimental Measurements
Tipo de participación: Presentación oral (invitada)
Congreso: Energy Materials Nanotechnology EMN Meeting on Terahertz
Lugar y fecha de celebración: San Sebastian (España), Mayo 2016
55. Autores: J.-F. Millithaler, P. Marthi, N. Hossain, I. Íñiguez-de-la-Torre, J. Mateos, T. González and M. Margala
Título: Ballistic deflection transistor very high frequency modeling
Tipo de participación: Poster
Congreso: 74th Annual Device Research Conference (DRC 2016)
Lugar y fecha de celebración: Newark (EE. UU.), Junio 2016
56. Autores: S. García, I. Íñiguez-de-la-Torre, J. Mateos, T. González and S. Pérez
Título: Substrate and Thermal Boundary Resistance Influence on the Behaviour of GaN HEMTs Studied by Means of an Electro-thermal Monte Carlo Simulator
Tipo de participación: Presentación oral
Congreso: 40th WOCSDICE; Workshop on Compound Semiconductor Devices and Integrated Circuits held in Europe & 13th EXMATEC; Expert Evaluation and Control of Compound Semiconductor Materials and Technologies (40th WOCSDICE – 13th EXMATEC 2016)
Lugar y fecha de celebración: Aveiro (Portugal), Junio 2016
57. Autores: J.-F. Millithaler, P. Marthi, N. Hossain, I. Íñiguez-de-la-Torre, J. Mateos, T. González and M. Margala
Título: Monte Carlo Modeling of Ultra-Fast Operating BDT based Logical Device
Tipo de participación: Poster
Congreso: Lester Eastman Conference on High Performance Devices
Lugar y fecha de celebración: Bethlehem (EE. UU.), Agosto 2016
58. Autores: H. Sánchez-Martín, Ó. García-Pérez, I. Íñiguez-de-la-Torre, S. Pérez, T. González, J. Mateos
Título: Characterization and modeling of traps and RF frequency dispersion in AlGaN/AlN/GaN HEMTs
Tipo de participación: Presentación oral
Congreso: 11th European Microwave Integrated Circuits Conference (EuMIC)
Lugar y fecha de celebración: Londres (Reino Unido), Octubre 2016
59. Autores: S. Sánchez-Martín, H. Sánchez-Martín, J. A. Novoa, S. Pérez, C. Gaquière,
J. Mateos, T. González and I. Íñiguez-de-la-Torre
Título: Detection enhancement by gate control in GaN nanodiodes
Tipo de participación: Presentación oral
Congreso: 20th International Conference on Electron Dynamics in Semiconductors, Optoelectronics and Nanostructures (EDISON 19)
Lugar y fecha de celebración: Buffalo (EE. UU.), Julio 2017
