He participado en más de 25 proyectos de investigación competitivos, regionales, nacionales y europeos
Emisores y detectores de Thz basados en nanodiodos semiconductores para comunicaciones e imagen médica y de seguridad (SA022U16), Junta de Castilla y León – Consejería de Educación, 2016-2018,
IP. Tomás González Sánchez
Nanoelectrónica de gap ancho y estrecho para la mejora de la eficiencia en aplicaciones de RF y THZ (TEC2013-41640-R), Ministerio de Economía y Competitividad, 2014–2017
IP. Javier Mateos López y Mª Susana Pérez Santos
Estudio de efectos térmicos en dispositivos de RF. Modelado y caracterización experimental (SA052U13), Consejería de Educación y Cultura. Junta de Castilla y León (SA052U13), 2013–2016
Nanodispositivos semiconductores para la emisión y detección de THz a temperatura ambiente (SA183A12-1), Consejería de Educación y Cultura. Junta de Castilla y León (SA183A12-1), 2012–2013
IP. Javier Mateos López
Estudio de los fenómenos de ionización por impacto en dispositivos electrónicos avanzados de semiconductores III-V para aplicaciones en el rango de frecuencias milimétricas y submilimétricas (FS/18-201), Fundación Memoria Samuel Solórzano Barruso, 2011
IP. Beatriz García Vasallo
Diodos y transistores avanzados para generación, detección y procesado de señales milimétricas y submilimétricass (TEC2010-15413), Ministerio de Ciencia e Innovación, 2011–2013
IP. Tomás González Sánchez
Semiconductor nanodevices for room temperature THz emission and detection (RooTHz)(ICT-2009-243845), Comisión Europea, 2010–2013
IP. Javier Mateos López
Dispositivos semiconductores para aplicaciones en el rango de THz: nuevos materiales y arquitecturas (GR270), Consejería de Educación y Cultura. Junta de Castilla y León, Grupo de Excelencia, 2009–2011
IP. Daniel Pardo Collantes
Synchronization of plasma waves for terahertz applications in nanotransistors (HF2007-0014), Ministerio de Educación y Ciencia. Acciones Integradas, 2008–2009
IP. Javier Mateos López
Modelización y desarrollo de HEMTs basados en semiconductores III-V de gap estrecho (InAs) y gap ancho (GaN), Consejería de Educación y Cultura. Junta de Castilla y León (SA019A08), 2008-2010
IP. Javier Mateos López
Modelización de HEMTs avanzados para aplicaciones de alta frecuencia: nuevos materiales, estructuras y conceptos (TEC2007-61259/MIC), Ministerio de Educación y Ciencia, 2008–2010
IP. Javier Mateos López
European GDR Project- Semiconductor sources and detectors of THz frequencies, Comisión Europea. CNRS, France, 2007–2009
IP. Javier Mateos López
Simulación y diseño de dispositivos electrónicos basados en heteroestructuras lInAs/InGaAs/InP para osciladores submilimétricos (USAL2005-15), Universidad de Salamanca (Proyectos a realizar por jóvenes investigadores), 2006–2007
IP. Mª Susana Pérez Santos
GDR Project – Solid state sources and detectors of THz frequencies, CNRS (Centro Nacional de Investigación Científica). Francia, 2005–2006
IP. Javier Mateos López
Modelización y diseño de dispositivos electrónicos para generadores de ondas a frecuencias de THz (FS/16-2005), Fundación Memoria de Samuel Solórzano Barruso, 2005–2006,
IP. Mª Susana Pérez Santos
Kinetic and partial-differential equations analysis of nonlinear noise in RF/microwave semiconductor devices (HI2004-0381), Ministerio de Educación y Ciencia. Acciones Integradas, 2005–2007
IP. Tomás González Sánchez
Nanodispositivos balísticos para aplicaciones a temperatura ambiente en el rango de THz, (TEC2004-05231MIC), Ministerio de Educación y Ciencia, 2005–2007
IP. Tomás González Sánchez
Modelización de dispositivos electrónicos para aplicaciones en el rango de ondas submilimétricas, (SA044A05), Consejería de Educación y Cultura. Junta de Castilla y León, 2005–2007
IP. Javier Mateos López
18th International Conference on Noise and Fluctuations – ICNF 2005 (TEC2004-20192-E), Ministerio de Educación y Ciencia, 2005,
IP. Tomás González Sánchez
Thematic Network on Silicon on Insulator Technology, Devices and Circuits (IST-1-506653), Comisión Europea, 2004–2005
IP. María Jesús Martín Martínez
TeraHertz applications of barrier-limited transport in semiconductor nanostructures (PST.EAP.CLG 980629), OTAN, 2004–2005
IP. Tomás González Sánchez
Red Española de Nanotecnología – NANOSPAIN (MAT2001-5411-E), Ministerio de Ciencia y Tecnología (Acción Especial), 2003-2004
IP. Tomás González Sánchez
Análisis Monte Carlo de ruido a alta frecuencia en materiales y dispositivos semiconductores submicrométricos (SA057/02), Consejería de Educación y Cultura. Junta de Castilla y León, 2002–2004
IP. Tomás González Sánchez
Diseño, simulación y optimización de dispositivos electrónicos de alta frecuencia y bajo ruido, (TIC2001-1754), Dirección General de Investigación. Ministerio de Ciencia y Tecnología, 2002–2004
IP. Tomás González Sánchez
Network of Excellence on Nanoelectronics – PHANTOMS (IST-2000-26021), Comisión Europea, 2001-2003
IP. Tomás González Sánchez
Modelización y simulación de dispositivos electrónicos activos de heterounión con dimensiones nanométricas y aplicación en RF y microondas (SA44/99), Junta de Castilla y León (Consejería de Educación y Cultura), 1999-2001
IP. Daniel Pardo Collantes
Modelización y simulación de dispositivos electrónicos de heterounión con dimensiones nanométricas (PB97-1331), Dirección General de Enseñanza Superior e Investigación Científica, 1998-2001
IP. Daniel Pardo Collantes
Diseño de un oscilador en banda Ku basado en la tecnología InGaP/GaAs HBT y medidas experimentales, Thomson-CSF, 1997-1999
IP. Sylvain Delage
Diseño y simulación de dispositivos electrónicos activos con aplicación en circuitos integrados de microondas (SA11/96), Junta de Castilla y León (Consejería de Cultura y Turismo), 1996-1998
IP. Daniel Pardo Collantes
Diseño de un oscilador en banda C basado en la tecnología InGaP/GaAs HBT y medidas experimentales, Thomson-CSF, 1995-1997
IP. Sylvain Delage
Además de esto he participado en 6 contratos al amparo del art. 83 de la LOU. Tres de ellos son contratos con el CIDA (Centro de Investigación y Desarrollo de la Armada, Ministerio de Defensa) desde 2005 hasta 2008. Estos contratos desarrollan un simulador de HEMTs de GaN con el objeto de optimizar las topologías y estructuras de los dispositivos que se fabricaron en el proyecto KORRIGAN (Key Organisation for
Research on Integrated Circuits in GaN Technology, WEAO, EUROPA CONTRACT nº 04/102.052/032, 2005-2009) para aplicaciones de alta potencia. En este proyecto participaron activamente empresas de gran relevancia como THALES e INDRA
